例: SP1231F|SP1233FL|SW6124|SW6106|CS8626

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MOS管

MOS產品
Part NO.
封裝
工作電壓
簡介
適用場景
ESOP10
4.5V-18V
CS8631E輸出功率:

PO at 10% THD+N,VDD=7.4V@RL=2Ω 12.5W
PO at 10% THD+N,VDD=9.0V@RL=2Ω 18W
PO at 10% THD+N,VDD=12V@RL=3Ω 23.5W
PO at 10% THD+N,VDD=12V@RL=4Ω 20W
PO at 10% THD+N,VDD=15V@RL=4Ω 30W
PO at 10% THD+N,VDD=16V@RL=4Ω 32W
MSOP8
2.5V-6.0V(單節鋰電池供電)
3.0W 單聲道,差分輸入,超低EMI
Po=2.9W@10%THD VDD=5V,RL=4Ω
Po=1.66W@10%THD VDD=5V,RL=8Ω
Po=1.25W@1%THD VDD=3.6V,RL=4Ω
Po=0.7W@1%THD VDD=3.6V,RL=8Ω
DFN3*3
2.5V-5.5V(單節鋰電池供電)
3.0W 單聲道,差分輸入
Po=3.1W@10%THD VDD=5V,RL=4Ω
Po=1.8W@10%THD VDD=5V,RL=8Ω
SOP8,其他客戶要求封裝形式
2.5V-5.5V(單節鋰電池供電)
3.0W單聲道,差分輸入
Po=3.05W@10%THD VDD=5V,RL=4Ω
Po=1.66W@10%THD VDD=5V,RL=8Ω
SOP8
2.5V-5.5V(單節鋰電池供電)
5.0W,單聲道,單端輸入,防破音
Po=5W@10% THD VDD=5V,RL=2Ω
Po=3.1W@10%THD VDD=5V,RL=4Ω
ESOP8L其他客戶要求的封裝形式
2.5V-6V(單節鋰電池供電)
5.0W單聲道,差分輸入
Po=5.34W@10%THD VDD=5.5V,RL=2Ω
Po=3.04W@10%THD VDD=5V,RL=4Ω
SOP8L
2.5V-7.0V
Po=4.2W@10%THD VDD=6.5V,RL=4Ω
Po=1.7W@10%THD VDD=5V,RL=8Ω
Po=1W@0.1%THD VDD=5V,RL=8Ω
ESOP16
5.7V-18V(DC適配器)
30W單聲道,差分輸入,四級增益可調單面PCB輸出功率
Po=12.5W@10%THD VDD=7.4V,RL=2Ω
Po=18W@10%THD VDD=9.0V,RL=2Ω
Po=23.5W@10%THD VDD=12.0V,RL=3Ω
Po=35W@10%THD VDD=15V,RL=3Ω
Po=20W@10%THD VDD=12.0V,RL=4Ω
Po=30W@10%THD VDD=15V,RL=4Ω
雙面PCB輸出功率
Po=20W@10%THD VDD=12.0V,RL=4Ω
Po=32W@10%THD VDD=16.0V,RL=4Ω
ESOP16
8-23V
免濾波,50W單聲道D類功音頻放大器
Po=42.5W@10%THD VDD=18V,RL=4Ω
Po=47W@10%THD VDD=19V,RL=4Ω
Po=46W@10%THD VDD=22V,RL=6Ω
Po=50W@10%THD VDD=23V,RL=6Ω
Po=36W@10%THD VDD=22V,RL=8Ω
Po=40W@10%THD VDD=23V,RL=8Ω
ESOP16
6.5V-18.5(DC適配器)
25W單聲道,差分輸入,四級增益可調
Po=19W@10%THD VDD=12V,RL=4Ω
Po=24W@10%THD VDD=14V,RL=4Ω
ESOP8
3V~5.5V
內置高效自適應升壓的高信噪比,低底噪,具有 ALC(防破音)功能的AB/D 類雙模立體聲音頻功放。在鋰電池 3.7VANT8917 內置過流保護、過熱保護功能,確保芯片在各種應用環境中的可靠性,穩定性。
EQB32
5V~26V
CS8683H是一款130W單聲道D類音頻放大器,這款器件在頂層設計了散熱焊盤,在焊盤上連接散熱器后可以達到130W以上的功率輸出,在適應的電源電壓下可以驅動低至2Ω的負載;CS8683G具備先進的EMI抑制技術,它采用表面貼裝技術只需少量的外圍器件,便使系統具備高質量的音頻輸出功率。CS8683H內置了過流保護,短路保護和過熱保護,有效的保護芯片在異常的工作條件下不被損壞

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